Алферовский университет

Компания

Образование и наука
С 1999 года
Россия
Северо-Западный ФО РФ
Санкт-Петербург
194021, улица Хлопина, дом 8, корпус 3, литер А

+7 (812) 297-21-45

Содержание

Персоны (1)

Сотрудники компании, известные TAdviser. Добавить персону можно здесь.

ФИОГородДолжность
Баронов Олег АлексеевичСанкт-Петербурги.о. начальника отдела иформационных технологий

Продукты (3)

Продукты (ит-системы) данного вендора. Добавить продукт можно здесь.

СМ. ТАКЖЕ (11)

Конечные собственники

Алферовский университет – это научно-образовательное учреждение, основные направления деятельности которого лежат в областях физики и нанотехнологий, биоинформатики, наноБИОтехнологий и физики космоса.

История

2024: Разработка уникального материала для квантовых коммуникаций

Алферовский университет разработал первые в России высококачественные кристаллы нитрида индия на кремнии, которые можно использовать в создании устройств квантовых телекоммуникаций и фотонных интегральных схем. Об этом в начале марта 2024 года сообщили в Центре компетенций НТИ «Фотоника».

По словам научного сотрудника лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий Алферовского университета Владислава Гридчина, практически идеальные кристаллы нитрида натрия удалось синтезировать на дешёвом кремнии, а не на дорогих подложках, таким образом, стоимость синтеза снизилась в несколько раз.

В России разработали уникальный материал для создания квантовых телекоммуникаций

«
В этом [2024] году мы первыми в России научились синтезировать практически бездефектные кристаллы нитрида индия на дешевом кремнии. Это очень сложная технологическая задача, так как кремний не подходит для роста таких кристаллов. Однако использовать кремний дешевле, а значит и синтез кристаллов нитрида индия осуществляется не на дорогих подложках, обычно используемых для создания лазеров инфракрасного диапазона, а на доступном кремнии. Это самый распространенный материал на земле, - рассказал Гридчин в разговоре с ТАСС.
»

Он также пояснил, что практическое применение нитрида индия ограничивается из-за высокой концентрации дефектов и примесей в формируемых кристаллах, из-за чего этот полупроводник обладает шириной запрещенной зоны (физический параметр, определяющий основные свойства нитрида индия, например, длину волны излучаемого кристаллом света) порядка 1,8-2,1 эВ. Ученым Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета им. Ж. И. Алферова РАН, входящего в консорциум Центра компетенций НТИ «Фотоника», удалось приблизиться к фундаментальной ширине запрещенной зоны данного материал, заявил Гридчин.TrafficSoft ADC: балансировщик нагрузки с высокой скоростью работы и минимальными аппаратными требованиями

Он добавил, что в будущем технологии поможет создавать эффективные лазеры для передачи информации по оптоволоконным линиям связи.[1]

Примечания