| Разработчики: | Samsung Electronics |
| Дата премьеры системы: | июль 2022 г. |
| Отрасли: | Электротехника и микроэлектроника |
2022: Samsung начинает поставки первых в мире 3-нанометровых чипов
25 июля 2022 года стало известно, что компания Samsung Electronics начала поставки чипов, произведенных по самой передовой в мире 3-нанометровой технологии производства, которая позволила значительно улучшить энергопотребление и производительность.
В конце июля 2022 года технологический гигант провел мероприятие, посвященное отправке первой партии 3-нм чипов с завода в Хвасоне, провинция Кёнги, на котором присутствовало около 100 представителей компании и правительства.
Технология 3-нм чипов позволит Samsung опередить своего конкурента TSMC. Несмотря на свое превосходство в производстве чипов памяти, Samsung остается на втором месте на растущем рынке литейного производства с долей менее 20%, в то время как TSMC доминирует на более чем 50% мирового рынка.
3-нм технология Samsung отличается более высокой плотностью транзисторов, чем нынешняя 5-нм технология, что означает более высокую скорость и меньшее энергопотребление передовых чипов для систем искусственного интеллекта, обработки больших данных и автономных автомобилей.Обзор российского рынка банковской цифровизации: импортозамещение, искусственный интеллект и собственные экосистемы 
Samsung также первым применил более совершенную архитектуру транзисторов, получившую название "gate-all-around field-effect transistor technology" (GAAFET), которая позволила повысить общую эффективность нынешней технологии полевых транзисторов с ребрами (FinFET).
Samsung присвоила своей технологии GAAFET торговую марку "Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET)".
GAAFET считается необходимой для изготовления литейных микросхем следующего поколения, размер которых меньше 3 нм, но чипмейкеры изо всех сил пытаются поднять показатели низкой производительности на ранней стадии производства.
По словам Samsung, ее инженеры начали исследовательскую работу над технологией GAAFET в начале 2000-х годов и с 2017 года применяют ее для предстоящего 3-нм производственного процесса. В июне 2022 года компания официально объявила о массовом производстве 3-нм чипов, став первым чипмейкером, сделавшим это.
 | Выпуск новейших 3-нм чипов является важной вехой для литейной промышленности Samsung, - сказал на мероприятии Кюнг Ки Хён, генеральный директор подразделения Samsung по производству чипов. В то время, когда технология FinFET приближается к своему пределу, нам удалось раньше других разработать альтернативную технологию GAAFET. Это результат инноваций. |  |
В результате общего технологического обновления Samsung заявила, что ее 3-нм техпроцесс первого поколения позволил снизить энергопотребление на 45% и повысить производительность на 23% по сравнению с текущим 5-нм техпроцессом с использованием FinFET.
Ожидается, что во втором поколении энергопотребление снизится вдвое, а производительность увеличится еще на 30%.
Samsung использует новейшую технологию в первую очередь в чипах для высокопроизводительных вычислений и планирует разнообразить их применение в партнерстве с клиентами. [1]
